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應用于高側開關的P溝道MOSFET:新潔能 NCE60P25K MOS管規格參數/免費樣品/最新價格
高側開關就是負載是接地的,開關相對于負載處于高電位。在實際應用中,NMOS作為高側開關雖然性能較好,但需要額外的柵極驅動IC,這使得電路復雜度和成本增加。相比之下,PMOS作為高側開關則更便于控制,對于開通速度、導通內阻、過電流能力無細致需求的場合,PMOS無疑是做開關的較好選擇。
近年來隨著MOS工藝的升級,PMOS的參數還是較NMOS差,但導通內阻<10m歐的PMOS型號越來越多了,今天就給大家推薦一款應用于高側開關的P溝道MOSFET:新潔能 NCE60P25K MOS管,作為PMOS管,其不用電荷泵驅動,簡單方便,還降低成本。

NCE60P25K做高側開關的電路:
下圖是NCE60P25K做高側開關的電路,CONTROL為控制信號,電平范圍為0~VCC。 CONTROL為0V時,Vgs<導通閥值,PMOS開通,負載工作。 CONTROL為VCC時,Vgs>導通閥值,PMOS關斷,負載停機。

注意上圖這里的輸入信號 CONTROL,其低電平要保證Vgs能使NCE60P25K開通;又要限制Vgs不能小于手冊上的最小允許電壓,以避免NCE60P25K損壞。
NCE60P25K主要參數:
- 漏源電壓(Vds):-60V
- 導通電阻(RDS(on)):<45mΩ @ VGS=-10V
- 柵極電壓(Vgs):±20V
- 連續漏極電流(Id):-25A
- 脈沖漏極電流(IDM):-60A
- 功率(Pd):90W
- 單脈沖雪崩能量(EAS):300mJ
- 工作溫度范圍:-55℃~+150℃
NCE60P25K作為高側開關的應用優勢:
- 低導通電阻(RDS(ON)) :NCE60P25K的導通電阻比較低,這意味著在開關過程中產生的功率損耗較小,從而提高了系統的整體能效。
- 高電流承載能力:NCE60P25K持續漏極電流(Id)為25A,表明它能解決較大的電流,適用高負載電子電路。
- 高密度電池設計和低柵極電荷:NCE60P25K采用高密度電池設計,進一步降低了導通電阻,并且具有較低的柵極電荷,這使得其在高側開關電路中更加高效。
- 良好的熱性能和封裝設計:NCE60P25K采用TO-252封裝,具有良好的散熱性能,這對于高側開關在長時間運行下的穩定性和可靠性至關重要。
- 適用于高壓環境:NCE60P25K的漏源電壓高達60V,使其能夠應對中高壓電子應用中的電壓需求。這種特性使其在汽車電子、工業控制等領域中具有廣泛的應用前景。
此外,NCE60P25K不僅適用于高側開關,還可以用于DC/DC轉換器、信號放大與處理電路等多種應用場景,非常適合高電流負載應用,在多種電子設計中表現出色,是一款多功能性和高性能的P溝道MOSFET。

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